TIPOS DE MEMORIA

EDO RAM (RAM con salida de Datos Ampliada)

Estos son SIMMs de 72 pines y DIMMs de 168 pins con chips de fabricación especial que permiten un traslape temporal entre accesos sucesivos. La EDO RAM tiene una arquitectura dual de contactos que permite que la unidad lea datos y vacíe información en forma simultánea. Esto permite ciclos de accesos sucesivos más pequeños y una mejora en el desempeño de alrededor de un 20% por encima de los SIMMs normales sin EDO. La EDO RAM resulta ideal para sistemas con velocidades de bus de hasta 66 MHz, lo cual se ajusta perfectamente con la arquitectura actual y futura de los procesadores Pentium.

Otra variante de la EDO es la BEDO DRAM (Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio con Salida de Datos Ampliada en Ráfaga). La BEDO es básicamente la memoria EDO con características de ráfaga para una transferencia de datos más veloz.

DRAM (RAM estática Dinámica)

Es similar a la EDO RAM en que tiene una estructura dual de conductos de datos. La SDRAM transmite información en ráfagas a velocidades muy elevadas mediante una interfaz temporizada de alta velocidad. El desempeño de la SDRAM es parecido al de la EDO RAM, con excepción de que la SDRAM maneja velocidades de bus de 100 MHZ a 133 MHZ. La SDRAM está limitada principalmente DIMMs.

SRAM

Este tipo de memoria es conocida también como memoria caché. Este tipo de memoria es utilizado para mejorar el desempeño de la memoria. Esta técnica reposa en una pequeña cantidad (de 8 KB a 512 Kb) de memoria en línea de alta velocidad, lo suficientemente rápida para operar a la velocidad del procesador con cero estados de espera. Este pequeño banco de memoria caché a menudo se encuentra en el rango de 15 ns o menos en velocidad de acceso. La SRAM es utilizada por un circuito especial controlador de caché que almacena las ubicaciones de RAM que se accesan con frecuencia y está también precargada con los valores RAM que el controlador de caché espera que se accesan a continuación. El caché actúa como un buffer inteligente entre la CPU y la más lenta DRAM.

DDR ó RAMBUS

Es una nueva tecnología de alto rendimiento que utiliza un interface chip-a-chip muy avanzado y rápido, permitiendo transferencias de datos 10 veces mayor que un DIMM SDRAM de 66MHz y 3 veces mayor que un DIMM SDRAM a 100Mhz.

Esta tecnología se caracteriza por presentar una topología física de bus e incrementa por 3 o 4 la frecuencia de ciclo de reloj del bus de datos. Los módulos RIMM vienen con frecuencias de reloj de 300MHz, 356MHz y 400MHz. En cada ciclo de reloj realiza dos operaciones, lo que permite aumentar su tasa de datos a los estándares PC600, PC700 y PC800.

Utilizan nuevos chips y se ensamblan en placas de igual tamaño a los DIMM, pero con 184 contactos en lugar de 168 pins del DIMMs.

Aplicaciones de la tecnología Rambus

La ampliación de la anterior tecnología RDRAM (concurrente), doblando el ancho de bus de datos de 8bits a 16bits, ha permitido conseguir transferencias de datos de hasta 1,6GB/s.

Con la incorporación de un segundo canal podría alcanzar hasta 3,2GB/s. Puede funcionar a 600/700/800MHz de ancho de banda.